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电子元器件详细资料 » IC[14748] » CSD16323Q3
型号:CSD16323Q3类别:FET - 单制造商:Texas Instruments
封装:8-TDFN 裸露焊盘描述:MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
系列NexFET™
制造商Texas Instruments
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.5 毫欧 @ 24A,8V
Id时的Vgs(th)111最大2221.4V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs8.4nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1300pF @ 12.5V
功率_最大3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装8-SON
包装剪切带 (CT)

供应商

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CSD16323Q3相关型号

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